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MICRON Inside 1α-世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)。

發(fā)布時(shí)間:2021-08-10 17:15:15     瀏覽:1410

MICRON最近宣布,我們正在發(fā)貨使用全球最先進(jìn)的DRAM工藝制造的存儲芯片。這個(gè)過程被神秘地稱為“1α”(1-alpha)。這是什么意思,有多神奇?

芯片制造的歷史是縮小電路,在芯片上安裝更多的晶體管和存儲單元。60年前,第一批芯片有肉眼可見的部件晶體管等?,F(xiàn)在這些相同的組件只有幾納米寬。小了十億倍!

小晶體管開關(guān)速度快,能源少,純規(guī)模經(jīng)濟(jì),制造成本低。跳轉(zhuǎn)到MICRON最新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)——順便說一下,它是當(dāng)今世界上最先進(jìn)的——也不例外。在性能、功率效率和制造成本方面提供了重大改進(jìn)。

試想,如果汽車以相同的速度改進(jìn)。眨眼間每小時(shí)可以以0英里的速度行駛到60英里,可以用幾滴燃料環(huán)繞地球。

現(xiàn)在做籌碼,說的有點(diǎn)委婉,很復(fù)雜。制造現(xiàn)代芯片需要一千多個(gè)單獨(dú)的工藝和測量步驟——這些步驟幾乎完美。這些步驟是在由數(shù)百家專業(yè)公司制造的稱為工具的機(jī)器上執(zhí)行的,使用超純材料,在巨大的潔凈室中進(jìn)行,其中空氣中的顆粒比月球上的空氣中的顆粒少。

由于這種復(fù)雜性,該行業(yè)傾向于從節(jié)點(diǎn)到節(jié)點(diǎn)遵循類似的節(jié)奏。MICRON將這些“節(jié)點(diǎn)”中的每一個(gè)都稱為“節(jié)點(diǎn)”,并通過芯片上最小的特征來指代它們。例如,本世紀(jì)初,MICRON180納米(nm)節(jié)。大約十年前,MICRON處于 22nm 節(jié)點(diǎn)。

但幾年前,記憶界發(fā)生了一件有趣的事情。MICRON不再談準(zhǔn)確的數(shù)字,而是開始使用像1x、1y1z這樣的術(shù)語。特別是對于DRAM來說,節(jié)點(diǎn)的名稱對應(yīng)于存儲單元陣列中有源區(qū)域的一半節(jié)距——半節(jié)距——尺寸。至于1α,隨著MICRON 1x 納米到 1y、1z 1α,這個(gè)尺寸變得越來越小。MICRON1x開始,但隨著MICRON繼續(xù)縮小并命名下一個(gè)節(jié)點(diǎn),MICRON到達(dá)了羅馬字母表的最后。這就是希臘字母alphabeta、gamma等的原因。

透視尺寸。

MICRON在這里講的有多小?

芯片是用300毫米直徑的硅片制成的,一次幾百個(gè)。每個(gè)芯片或“芯片”大約有指甲蓋那么大。

現(xiàn)在想象死亡,成為足球場那么大。向下伸手,拔出草葉。把它切成兩半,然后切成兩半。

它是晶體管,是典型的存儲芯片上80億的存儲器之一。

MICRON.png

雕刻的限制。

令人驚訝的是,幾十年來,半導(dǎo)體行業(yè)一直在做這樣的事情,每年或每兩年縮小設(shè)備。MICRON很擅長。實(shí)際上,MICRON知道如何鋪設(shè)只有一層原子厚的材料薄膜,而且MICRON蝕刻-選擇性去除-材料的能力也不會落后。那么,現(xiàn)在有什么區(qū)別呢?

最困難的挑戰(zhàn)可能是定義晶圓上的電路圖案。第一部分叫光刻(用光寫在石頭上!)的雙曲馀弦值。的雙曲馀弦值。的雙曲馀弦值。類似于數(shù)字?jǐn)z影過程類似,其中光線通過照片的小透明版照射到感光紙上。在MICRON的例子中,MICRON使用公交車大小的機(jī)器,通過放置在稱為光口罩的透明石英方塊上的圖案照射深紫外線。但是原理是一樣的。

問題是物理學(xué)之一。多虧了被稱為瑞利標(biāo)準(zhǔn)或衍射極限的東西,應(yīng)該不可能投射出比使用的光波長一半左右的特征圖像。只是,不能產(chǎn)生足夠銳利的光束來制作正確的圖案。在MICRON的例子中,波長為193nm,因此MICRON在衍射極限以下工作。簡化到物理學(xué)家會不由自主地抽搐的地步,這就像嘗試使用 4 英寸畫筆寫 10 點(diǎn)文本。

有一種新型光刻工具使用更小、波長為 13.5 納米的極紫外光 (EUV),但由于多種復(fù)雜原因,MICRON認(rèn)為它尚未準(zhǔn)備好迎接黃金時(shí)間。原因之一是波長太短以至于光線無法穿過玻璃,因此傳統(tǒng)的光學(xué)鏡頭不起作用。15 年前,人們認(rèn)為 EUV 光刻已為 32nm 節(jié)點(diǎn)做好準(zhǔn)備。EUV的時(shí)代即將到來,但它并不是MICRON鈺的正確解決方案。

欺騙瑞利準(zhǔn)則。

MICRON使用多種技術(shù)來繞過衍射極限。第一個(gè)是修改光掩模上的圖案,以“欺騙”光線,使其成為銳利的小特征?,F(xiàn)在的技術(shù)狀態(tài)被稱為計(jì)算雕刻,使用大量的處理能力,有效地從晶片所需的圖案逆向工程掩模圖案。

第二個(gè)是利用水比空氣衍射光少的事實(shí),并將晶片暴露在水下!這并不像聽起來那么戲劇化。MICRON實(shí)際上用一滴水代替了最終透鏡和晶片表面之間的常見氣隙。這種方法使MICRON低于 40 納米——這是一項(xiàng)巨大的改進(jìn),也是一項(xiàng)巨大的合作工程努力的結(jié)果,但并非一路順利。

多重圖案的魔力。

分辨率的解決方案是添加一系列非光刻步驟,將一個(gè)“大”特征神奇地變成前兩個(gè)然后四個(gè)特征,每個(gè)特征都是原始尺寸的四分之一。坦率地說,這太棒了。雖然同時(shí)進(jìn)行了很多不同的方法,但是不能指出MICRON是第一家使用雙模式開發(fā)閃存的公司,早在2007年,這是由于MICRON自己的Gurtej的創(chuàng)業(yè)性工作Singh Sandhu,現(xiàn)在是MICRON探路集團(tuán)的高級研究員(只有4人之一,這是專屬俱樂部)。

過于簡單化,基本思想是使用步進(jìn)器創(chuàng)造犧牲特征,用不同的材料涂抹這些特征的側(cè)面,去除原始犧牲特征???/span>-兩個(gè)半尺寸的功能!重復(fù)這個(gè)過程,MICRON1α的大小四個(gè)特征。

沖洗并重復(fù)。

現(xiàn)在MICRON知道,MICRON可以準(zhǔn)確地圖案所需的微小特征,但是距離完整的芯片還有很長的路要走,更不用說大量生產(chǎn)了。MICRON只做了一層特征輪廓,每個(gè)芯片都有幾十層。MICRON非常自豪的一件事就是,MICRON可以把每一個(gè)新層與之前的層對齊,MICRON稱之為疊層。做到這一點(diǎn)完全正確是發(fā)揮整個(gè)事情的關(guān)鍵。

然后MICRON必須將模式轉(zhuǎn)換成功能電路設(shè)備,例如控制讀取和寫入數(shù)據(jù)的晶體管以及可以存儲代表 1 0 的電荷的又高又瘦的電容器。這個(gè)過程意味著精確控制材料成分以及這些材料的機(jī)械和電氣特性,并且每次都完全一樣。

MICRON不僅整合了MICRON自己的創(chuàng)新,而且利用了MICRON供應(yīng)商合作伙伴的進(jìn)步。MICRON到處采用最新的最佳技術(shù):新材料(如更好的導(dǎo)體和更好的絕緣體)和用于沉積、修正或選擇性去除或蝕刻的新機(jī)器。名單很長,這些都要合作。

MICRON已經(jīng)把制造工廠(稱為fabs)發(fā)展成人工智能驅(qū)動的高度自動化奇跡。就像我之前提到的那樣,制造現(xiàn)代芯片需要在晶圓廠內(nèi)走一千多步和幾百里。每一步驟都必須完美。

半導(dǎo)體制造不像制造汽車。不能返回和修復(fù)以前引進(jìn)的缺陷。任何缺陷都埋在后層下面。成功的關(guān)鍵是數(shù)據(jù)和從這些數(shù)據(jù)中獲得的洞察力。數(shù)十萬個(gè)傳感器的數(shù)據(jù)涌入MICRON10個(gè)PB的制造執(zhí)行系統(tǒng)。MICRON每天通過檢測系統(tǒng)提供超過100萬張圖片,使用深度學(xué)習(xí),在出現(xiàn)問題之前發(fā)現(xiàn)問題。芯片制造可能是地球上最復(fù)雜的人類工程。

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