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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  Renesas瑞薩V850系列32位MCU微控制器 2024-02-28 10:20:26

  Renesas瑞薩的V850微控制器系列確實是針對各種中高端應(yīng)用而設(shè)計的，具有不同的內(nèi)核和性能特點來滿足客戶需求。V850ES核心產(chǎn)品價格實惠，并可輕松集成到使用16位控制器的系統(tǒng)中，適合需要成本效益的應(yīng)用。V850E1內(nèi)核旨在提供高性能，而V850E2M內(nèi)核則是頂級處理能力應(yīng)用程序的較佳選擇。