亚洲综合av一区二区三区,人人妻人人澡人人爽欧美一区,被黑人猛躁10次高潮视频,女主放荡h乱np自慰

　　Linear Systems推出的LSK489低噪聲、低電容雙N溝道JFET，專(zhuān)為所有(音頻和非音頻)低噪聲應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

　　LSK489 1.8nV、1K Hz、低電容、N溝道單片雙 JFET是超低噪聲雙 JFET 系列的一部分，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于為用戶(hù)提供性能更好、耗時(shí)更少且更便宜的解決方案，以獲得更緊密的 IDSS 匹配，以及與匹配單個(gè) JFET 更好的熱跟蹤。

　　LSK489 采用表面貼裝和符合 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)的封裝版本，是類(lèi)似 JFET 的理想改進(jìn)功能替代品，這些 JFET 在空間受限的音頻和儀器儀表應(yīng)用電路中具有遠(yuǎn)差的噪聲特性和柵極到漏極電容?！癓SK489 為各種低噪聲應(yīng)用提供了顯著提高的功能?！绷枇柼乜偛眉媸紫瘓?zhí)行官John H. Hall表示。“能夠使用我們的 LSK389 構(gòu)建低噪聲電路的設(shè)計(jì)人員將對(duì) LSK489 能夠?yàn)樗麄冏鲂┦裁从∠笊羁?。?/span>

　　Hall說(shuō)，LSK489最重要的方面是它結(jié)合了幾乎與LSK389一樣低的噪聲水平，同時(shí)具有更低的柵極到漏極電容，4pF比25pF低得多。雖然 LSK389 在 1k 時(shí)提供低于 1nV 的超低噪聲，但電容足夠高，導(dǎo)致設(shè)計(jì)人員不得不使用共源共柵功能來(lái)處理更高的帶寬，而不會(huì)出現(xiàn)互調(diào)失真。

　　與LSK389(0.5納伏)相比，LSK489的噪聲略高，在大多數(shù)情況下并不顯著，而低得多的電容使設(shè)計(jì)人員能夠用更少的器件生產(chǎn)更簡(jiǎn)單、更優(yōu)雅的電路設(shè)計(jì)，從而降低生產(chǎn)成本。雖然共源共柵是補(bǔ)償某些不良晶體管特性的有效技術(shù)，但使用它的缺點(diǎn)是電路噪聲較高。在共源共柵配置中，每個(gè)晶體管的噪聲被組合在一起。LSK489 ?的電容較低，因此在大多數(shù)電路設(shè)計(jì)中無(wú)需共源共柵配置。

　　與 Linear Systems LSK389 一樣，LSK489 采用獨(dú)特的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，將兩個(gè) JFET 交錯(cuò)在同一片硅片上，以提供出色的匹配和熱跟蹤，以及具有幾乎零爆米花噪聲的低噪聲曲線(xiàn)。

　　LSK489 采用表面貼裝 SOIC-8、通孔 TO-71 封裝和更小的 SOT23-6 封裝。提供符合 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛版本。Linear Systems的?國(guó)內(nèi)工廠(chǎng)庫(kù)存保證了較短的交貨時(shí)間，確保生產(chǎn)計(jì)劃不會(huì)中斷。

　　特征描述：

　　低噪聲(典型值為 1.8 nv/hz @ 1khz)

　　幾乎零爆米花噪音

　　IDSS 匹配度最大為 10%

　　低偏移/緊密匹配 (|Vgs1- Vgs2|= 20mV 最大值)

　　低電容 (CISS=4 pf)

　　高輸入阻抗

　　高擊穿電壓 (BVGSS = 40V Min)

　　低噪聲、減少器件數(shù)量，是經(jīng)典 (2) 雙 JFET 共源共柵配置的替代方案

　　Siliconix U401 系列和 Linear Systems 844 系列的改進(jìn)替代品

　　表面貼裝 SOIC 版本和更小的 SOT23-6 封裝

　　提供符合 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛版本

　　應(yīng)用：

　　麥克風(fēng)放大器;

　　唱機(jī)前置放大器;

　　音頻放大器和前置放大器;

　　分立式低噪聲運(yùn)算放大器;

　　電池供電的音頻前置放大器;

　　調(diào)音臺(tái);

　　聲學(xué)傳感器;

　　聲波成像;

　　和儀表放大器;

　　寬帶差分放大器;

　　高速比較器;

　　阻抗轉(zhuǎn)換器

相關(guān)推薦：

LSK389超低噪聲單芯片雙通道N溝道JFET 

LSK170系列超低噪聲JFET可替代東芝2SK170

更多Linear Systems 相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢(xún)立維創(chuàng)展。