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Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2024-06-18 09:12:31 瀏覽：1280

　　SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是一款由Vishay 公司生產(chǎn)的電子元件，屬于Si3495DV系列。這款MOSFET采用了TSOP-6封裝類型，具有8個(gè)引腳，并以其獨(dú)特的引腳排列方式(Dgume Number 1 73350)進(jìn)行標(biāo)識(shí)。其主要規(guī)格包括：工作電壓范圍為2.5 V至5.5 V，耐壓能力達(dá)到1000 V DC，電流容量為200mA/100mΩ，開(kāi)關(guān)頻率為2 MHz，絕緣電阻最小值為1.0 kΩ/1000 V DC。此外，該MOSFET還具備其他典型的特性和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，滿足各種電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用的需求。

Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA=25 ℃,unless otherwise noted
Paramete		Symbol	5 s	Steady State	Unit
Drain-Source Voltage		Vps	-20		V
Gate-Source Voltage		Vgs	±5
Continuous Drain Current (Tj=150 ℃)2	TA=25 ℃	lb	-7	-5.3	A
	TA=85℃		-3.6	-3.9
Pulsed Drain Curren		DM	-20
Continuous Source Current (Diode Conduction)		ls	-1.7	-0.9
Maximum Power Dissipationa	TA=25℃	Po	2.0	1.1	W
	TA=85 ℃		1.0	0.6
Operating Junction and Storage Temperature Range		TJT	-55 to 150		℃

THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter		Symbol	Typical	Maximum	Unit
Maximum Junction-to-Ambienta	t≤5s	RmIA	45	62.5	C/W
	Steady State		90	110
Maximum Junction-to-Foot (Drain)	Steady State	RmJF	25	30

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