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Infineon英飛凌IRF3205PBF單N溝道功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2024-07-30 09:10:16 瀏覽：1600

　　IRF3205PBF是一款單N溝道功率MOSFET，屬于IR (現(xiàn)被Infineon收購)MOSFET系列，采用TO-220封裝，最大耐壓為55V。該器件采用成熟的硅工藝，為設(shè)計(jì)人員提供了廣泛的器件組合，以支持各種應(yīng)用，如直流電機(jī)、逆變器、開關(guān)電源(SMPS)、照明、負(fù)載開關(guān)以及電池供電應(yīng)用。這些器件采用各種表面貼裝和通孔封裝，具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，便于設(shè)計(jì)。

　　特征描述

　　平面單元結(jié)構(gòu)：適用于寬安全工作區(qū)(SOA)。

　　廣泛可用性：針對分銷合作伙伴提供的最廣泛可用性進(jìn)行了優(yōu)化。

　　產(chǎn)品認(rèn)證：符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。

　　硅優(yōu)化：針對開關(guān)頻率低于100kHz的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

　　行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通孔功率套件。

　　高電流額定值。

　　優(yōu)勢

　　提高堅(jiān)固性。

　　廣泛可用性：來自分銷合作伙伴。

　　行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)資質(zhì)。

　　在低頻應(yīng)用中具有高性能。

　　標(biāo)準(zhǔn)引腳排列：允許直接替換。

　　高電流能力：最大電流ID (@25°C)為110A。

　　技術(shù)參數(shù)

　　封裝：TO-220。

　　極性：N溝道。

　　總柵極電荷(QG)：典型值為97.3 nC(@10V)。

　　柵源電荷(Qgd)：36 nC。

　　導(dǎo)通電阻(RDS(on))：最大值為8 mΩ(@10V)。

　　熱阻(RthJC)：最大值為1 K/W。

　　工作溫度：最小-55°C，最大175°C。

　　總功率耗散(Ptot)：最大150W。

　　最大結(jié)溫(Tj)：175°C。

　　最大漏源電壓(VDS)：55V。

　　柵源電壓(VGS)：最大20V。

　　閾值電壓(VGS(th))：最小3V，最大4V。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線，快速交付，歡迎聯(lián)系。

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