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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  ICE40UL1K-SWG16ITR FPGA現(xiàn)場可編程門陣列Lattice 2025-01-06 09:04:59

  iCE40 UltraLite家族是Lattice公司生產(chǎn)的FPGA和傳感器管理器，專為超低功耗移動(dòng)應(yīng)用（如智能手機(jī)、平板電腦等）設(shè)計(jì)，包含與移動(dòng)傳感器和應(yīng)用處理器接口的集成塊。其特點(diǎn)包括靈活邏輯架構(gòu)（有640或1K查找表兩種設(shè)備）、超低功耗（40納米低功耗工藝，待機(jī)電流35微安）、嵌入式和分布式存儲(chǔ)等；應(yīng)用領(lǐng)域涉及多傳感器管理、IR遙控等；技術(shù)規(guī)格方面，不同型號(hào)邏輯單元數(shù)量不同，均有14個(gè)EBR內(nèi)存塊等，封裝有16球WLCSP和36球ucBGA兩種選項(xiàng)。