亚洲av无码一区二区三区网站,麻豆国产一区二区三区四区,国产一区二区在线视频

Solitron Devices 2N2880軍標(biāo)級(jí)NPN功率晶體管

發(fā)布時(shí)間：2025-02-25 09:17:16 瀏覽：515

　　2N2880是一款由Solitron Devices公司生產(chǎn)的NPN型功率晶體管，采用TO-59封裝形式。它具有低導(dǎo)通電阻、低飽和電壓、低漏電流和低驅(qū)動(dòng)需求等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于高壓逆變器、轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)放大器等設(shè)備中。

Solitron Devices 2N2880軍標(biāo)級(jí)NPN功率晶體管

　　2. 主要特性

　　符合軍用標(biāo)準(zhǔn)：符合MIL-PRF-19500/315標(biāo)準(zhǔn)，適用于高可靠性應(yīng)用。

　　低導(dǎo)通電阻：降低功率損耗，提高效率。

　　低飽和電壓：在高電流下保持低電壓降。

　　高頻率響應(yīng)與快速切換：適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

　　高電流增益：提供穩(wěn)定的電流放大能力。

　　安全工作區(qū)域：在高電壓和高電流條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。

　　高頻應(yīng)用：適用于開(kāi)關(guān)電源和高頻逆變器。

　　3. 電氣參數(shù)

參數(shù)	符號(hào)	最小值	最大值	單位
集電極-發(fā)射極擊穿電壓	V(BR)CEO	-	80	Vdc
集電極-基極擊穿電壓	V(BR)CBO	-	110	Vdc
發(fā)射極-基極擊穿電壓	V(BR)EBO	-	8	Vdc
集電極-發(fā)射極截止電流	ICEO	-	20	μA
發(fā)射極-基極截止電流	IEBO	-	0.2	μA
正向電流傳輸比	hFE	40	120	-
集電極-發(fā)射極飽和電壓	VCE(sat)	0.25	1.5	Vdc
基極-發(fā)射極飽和電壓	VBE(sat)	-	1.2	Vdc
熱阻	RθJC	-	3.33	°C/W
輸出電容	Cobo	-	150	pF
脈沖上升時(shí)間	tr	-	300	ns
脈沖下降時(shí)間	tf	-	300	ns