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Microchip 1N6461-1N6468系列：500W軍用級(jí)瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)

發(fā)布時(shí)間：2025-02-27 09:29:14 瀏覽：572

　　Microchip 的 1N6461-1N6468 系列是 500 W 無(wú)空腔密封單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)，專為高可靠性應(yīng)用設(shè)計(jì)，符合 MIL-PRF-19500/551 軍用標(biāo)準(zhǔn)。

Microchip 1N6461-1N6468系列：500W軍用級(jí)瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)

Type	Minimum Breakdown Voltage1 V(Bey at I(aR)	Breakdown Current l(BR)	Rated Standoff Voltage VwM	Maximum Standby Current lp at VRwM	Maximum Clamping Voltage1 Vcat lpp	Maximum Peak Pulse Current1 lpp		Maximum Temp.Coef. of V(BR) Cv(BR)
Type	Minimum Breakdown Voltage1 V(Bey at I(aR)		Rated Standoff Voltage VwM	Maximum Standby Current lp at VRwM	Maximum Clamping Voltage1 Vcat lpp	at 8/20 μs	at 10/1000 μs	Maximum Temp.Coef. of V(BR) Cv(BR)
	V	mA	V(pk)	μA	V(pk)	A(pk)	A(pk)	%/℃
1N6461	5.6	25	5	3000	9.0	315	56	0.03,+0.045
1N6462	6.5	20	6	2500	11.0	258	46	+0.060
1N6463	13.6	5	12	500	22.6	125	22	+0.085
1N6464	16.4	5	15	500	26.5	107	19	+0.085
1N6465	27.0	2	24	50	41.4	69	12	+0.096
1N6466	33.0	1	30.5	3	47.5	63	11	+0.098
1N6467	43.7	1	40.3	2	63.5	45	8	+0.101
1N6468	54.0	1	51.6	2	78.5	35	6	+0.103

產(chǎn)品特點(diǎn)

　　高可靠性：

　　無(wú)空腔密封硬玻璃外殼，內(nèi)部采用“Category 1”冶金連接。

　　工作峰值電壓(VWM)范圍為 5.0 V 至 51.6 V。

　　峰值脈沖功率(PPP)為 500 W。

　　雙層鈍化保護(hù)。

　　符合 MIL-PRF-19500/551 的 JAN、JANTX 和 JANTXV 等級(jí)。

　　電氣特性：

　　8/20 μs 波形下的峰值脈沖電流(IPP)范圍為 6 A 至 315 A。

　　10/1000 μs 波形下的鉗制電壓(VC)范圍為 9.0 V 至 78.5 V。

　　反向漏電流(ID)小于 3000 μA。

　　封裝形式：

　　提供軸向引腳封裝和表面貼裝 MELF 封裝。

　　封裝材料為硬玻璃，具有良好的密封性和耐久性。

　　環(huán)境適應(yīng)性：

　　工作溫度范圍為 -55°C 至 +175°C。

　　符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)(僅商業(yè)級(jí))。

　　應(yīng)用場(chǎng)景

　　軍事和高可靠性應(yīng)用：適用于對(duì)可靠性要求極高的場(chǎng)景。

　　ESD 和 EFT 保護(hù)：符合 IEC61000-4-2 和 IEC61000-4-4 標(biāo)準(zhǔn)。

　　防雷保護(hù)：能夠抵御雷電引起的二次效應(yīng)。

　　工業(yè)應(yīng)用：如傳感器信號(hào)線、MOSFET 保護(hù)等。

Microsemi 是美國(guó)高可靠性電子元器件廠商，其軍級(jí)二三級(jí)管產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用于全球高端市場(chǎng)，深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，授權(quán)代理銷售Microsemi軍級(jí)二三級(jí)產(chǎn)品，大量原裝現(xiàn)貨，歡迎咨詢。

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