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vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容芯片

發(fā)布時間：2025-03-18 09:14:46 瀏覽：51

　　Vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進(jìn)制 MOS 電容芯片，每片芯片包含五個不同容量的電容，以二進(jìn)制增量排列，為用戶提供了多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 先進(jìn)的薄膜設(shè)備和制造技術(shù)生產(chǎn)，并經(jīng)過 100% 電氣測試和目視檢查，符合 MIL-STD-883 標(biāo)準(zhǔn)。

vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容芯片

　　特性

　　可鍵合性：支持線鍵合。

　　用戶容量選擇：芯片上有五個電容，容量以二進(jìn)制增量排列。

　　芯片尺寸：

　　CBB：0.019" x 0.048"(0402 封裝)

　　CBC：0.044" x 0.044"(0404 封裝)

　　容量范圍：CBB 最高 31 pF，CBC 最高 93 pF。

　　介質(zhì)材料：二氧化硅(Silicon Dioxide)。

　　低介質(zhì)損耗。

　　基底材料：半導(dǎo)體硅，背面鍍金。

　　應(yīng)用場景

　　CBB 和 CBC 二進(jìn)制 MOS 多值電容芯片設(shè)計用于通過常規(guī)線鍵合技術(shù)添加或減去電容，以調(diào)整混合電路。

　　電氣規(guī)格

參數(shù)	CBB	CBC	單位
總?cè)萘?/strong>	最高 31 pF	最高 93 pF	pF
容量值	1, 2, 4, 8, 16 pF	3, 6, 12, 24, 48 pF	pF
容差	±10%	±10%	%
直流工作電壓	75 V	75 V	V
最大工作電壓	75 V	75 V	V
峰值電壓（+25°C）	1.5 x 工作電壓	1.5 x 工作電壓	V
損耗因數(shù)（1 kHz, 1 VRMS, +25°C）	0.10%	0.10%	%
Q 值（1 mHz, 50 mVRMS, +25°C）	最小 1000	最小 1000	-
溫度系數(shù)（-55°C 至 +150°C）	+15 ± 25 ppm/°C	+15 ± 25 ppm/°C	ppm/°C
絕緣電阻（工作電壓，+25°C）	最小 10^9 Ω	最小 10^9 Ω	Ω
工作溫度范圍	-55°C 至 +150°C	-55°C 至 +150°C	°C

　　機(jī)械規(guī)格

參數(shù)	CBB	CBC
芯片尺寸	0.019" x 0.048" ± 0.002"（0.48 mm x 1.2 mm ± 0.05 mm）	0.044" x 0.044" ± 0.002"（1.1 mm x 1.1 mm ± 0.05 mm）
芯片厚度	0.010" ± 0.002"（0.254 mm ± 0.05 mm）	0.010" ± 0.002"（0.254 mm ± 0.05 mm）
芯片基底材料	半導(dǎo)體硅	半導(dǎo)體硅
介質(zhì)材料	二氧化硅（MOS）	二氧化硅（MOS）
鍵合墊	最小 10 k? 鋁（可選金）	最小 10 k? 鋁（可選金）
背面材料	最小 3 k? 金	最小 3 k? 金