供應(yīng)Connor-Winfield溫度補(bǔ)償晶體振蕩器TCXO
發(fā)布時(shí)間:2023-12-20 16:04:44 瀏覽:1075
TCXO是溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(Temperature Compensated Crystal Oscillator)的簡(jiǎn)稱(chēng),它是一種用于精確時(shí)鐘信號(hào)和頻率穩(wěn)定性的電子元件。Connor-Winfield是一家美國(guó)公司,專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)和提供各種類(lèi)型的晶體振蕩器和時(shí)鐘產(chǎn)品。
溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)是為了解決普通晶體振蕩器在不同溫度下頻率漂移的問(wèn)題而設(shè)計(jì)的。一般來(lái)說(shuō),普通的晶體振蕩器在溫度變化時(shí)會(huì)導(dǎo)致頻率的偏移,而TCXO通過(guò)使用溫度傳感器和相應(yīng)的補(bǔ)償電路來(lái)調(diào)整振蕩器的頻率,以實(shí)現(xiàn)溫度穩(wěn)定性。這樣就可以在不同的環(huán)境溫度下保持較為準(zhǔn)確和穩(wěn)定的振蕩頻率。
Connor-Winfield的TCXO產(chǎn)品具有高精度、低相噪聲、高穩(wěn)定性等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)、無(wú)線電設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。封裝類(lèi)型具有Clipped Sine 和/或HCMOS輸出和商業(yè)到擴(kuò)展或 工業(yè)溫度范圍。
產(chǎn)品選型:
3.2x2.5mm 表面貼裝型
零件編號(hào) | 產(chǎn)品類(lèi)型 | 邏輯系列 | 封裝 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準(zhǔn) | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
C1x 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 3.2x2.5毫米 | +/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 2.5 Vdc | 10 MHz 至 40 MHz | -30 至 85°C | 不適用 | 低成本 |
C3x 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 3.2x2.5毫米 | +/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz 至 40 MHz | -30 至 85°C | 不適用 | 低成本 |
CAx 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 3.2x2.5毫米 | +/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 2.8 Vdc | 10 MHz 至 40 MHz | -30 至 85°C | 不適用 | 低成本 |
D32G | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 3.2x2.5毫米 | +/-0.5ppm | 不適用 | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 16.368MHz、19.2MHz、26MHz、32.736MHz | -30 至 85°C | 不適用 | 低成本 |
5x3.2mm 表面貼裝型
零件編號(hào) | 產(chǎn)品類(lèi)型 | 邏輯系列 | 封裝 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準(zhǔn) | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
D53G | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 20 兆赫、26 兆赫 | -30 至 85C | 不適用 | 不適用 |
M100F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x3.2毫米 | +/-100ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 不適用 |
M170F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x3.2毫米 | +/-100ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 不適用 |
M200F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x3.2毫米 | +/-200ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 不適用 |
M30x | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85C | 不適用 | 第 3 層 |
M31x TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
M32x TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
M4 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 2.5 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -30 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
M50 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 第 3 層 |
M51 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 固定頻率 |
M52 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 固定頻率 |
M60 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 國(guó)際電聯(lián) |
M61 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
M62 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
M632 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x3.2毫米 | +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 至 50 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 不適用 |
M7 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -30 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
M70 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 國(guó)際電聯(lián) |
M71 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 固定頻率 |
M72 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 固定頻率 |
5x7mm 表面貼裝型
零件編號(hào) | 產(chǎn)品類(lèi)型 | 邏輯系列 | 封裝 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準(zhǔn) | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
CSB1x系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.20ppm | 不適用 | +/-0.5ppm | 3.3 Vdc | 10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫 | -40 至 55C | 不適用 | Cospas-Sarsat信標(biāo) C/S T.001 C/S T.007 |
CSB21 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.20ppm | 不適用 | +/-0.5ppm | 3.3 Vdc | 10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫 | -20 至 55C | 不適用 | Cospas-Sarsat信標(biāo) C/S T.001 C/S T.007 |
CSB2x系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.20ppm | 不適用 | +/-0.5ppm | 3.3 Vdc | 10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫 | -20 至 55C | 不適用 | Cospas-Sarsat信標(biāo) C/S T.001 C/S T.007 |
D75A | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm | 不適用 | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10兆赫、12.8兆赫、19.2兆赫、20兆赫 | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
D75AS | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.25ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 20兆赫 | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
D75F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.5ppm | 不適用 | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 13 兆赫、19.44 兆赫、25 兆赫、27 兆赫 | 0 至 70C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
D75J | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-1.0ppm | 不適用 | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 38.88兆赫,40兆赫,50兆赫 | 0 至 70C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
DV75C | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 Mhz、12.8 MHz、20 MHz、25MHz 和 40MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
DV75D | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-1.0ppm | 不適用 | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 兆赫、12.8 兆赫、20 兆赫 | -40 至 85C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
T100F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-100ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 小基站,G.8262 |
T200F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-200ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 小基站,G.8262 |
T200FA | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.20ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10.0兆赫 | -40 至 105C | 不適用 | 提高性能 |
T3x2 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 40 MHz | 0 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
T3x3 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
T5x2 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
T5x3 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
T602 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 50 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
T602A | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10.0MHz 和 24.576MHz | -40 至 105C | 不適用 | 提高性能 |
T6x2 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 54 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
T6x3 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 54 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
T7x2 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 54 MHz | -20 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
T7x3 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 54 MHz | -20 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
TA5 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm | +/-5.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
TA6 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm | +/-5.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
TB602 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 Mhz 至 50 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
TCXO-EVAL-T BOARD | TCXO系列 | LVCMOS/HCMOS/正弦波 | SM 5x7mm | 不適用 | 不適用 | 不適用 | 3.3 或 5.0 Vdc | 5x7mm T 系列 TCXO 和 VCTCXO 評(píng)估板 | -40 至 85C | 不適用 | STRATUM 3E 層 |
TV100F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-100ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588,小基站,G.8262 |
TV200F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-200ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588,小基站,G.8262 |
TV5x2 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
TV5x3 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
TV6x2 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
TV6x3 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
TV7x2 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
TV7x3 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
9x14mm 表面貼裝型
零件編號(hào) | 產(chǎn)品類(lèi)型 | 邏輯系列 | 封裝 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準(zhǔn) | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
DOT050F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 9x14mm | +/-50ppb | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 精密 TCXO |
TFxD5 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 9x14mm | +/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 100 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 固定頻率 |
TFxD6 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 9x14mm | +/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 100 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
14 針 DIP
零件編號(hào) | 產(chǎn)品類(lèi)型 | 邏輯系列 | 封裝 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準(zhǔn) | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
TX14-xx03T | TCXO系列 | LVCMOS公司 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 1.0 至 100.0 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
TX14-xx04T | TCXO系列 | Clipped Sinewave | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
TX14-xx07T | TCXO系列 | 正弦波 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
TX14-xx13T | TCXO系列 | LVCMOS公司 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 1.0 至 100 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
TX14-xx14T | TCXO系列 | Clipped Sinewave | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
TX14-xx17T | TCXO系列 | 正弦波 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
TX14-xx23T | TCXO系列 | LVCMOS公司 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 1.0 至 100 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 提高性能 |
TX14-xx24T | TCXO系列 | Clipped Sinewave | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 提高性能 |
TX14-xx27T | TCXO系列 | 正弦波 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 提高性能 |
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IRLML6401TRPBF是一款由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET,采用SOT-23封裝,專(zhuān)為低功耗和低頻率應(yīng)用設(shè)計(jì),具備寬廣的安全工作區(qū)域、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、低頻應(yīng)用中的高性能等特點(diǎn),適用于DC開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用,技術(shù)規(guī)格包括最大漏極電流-4.3A、導(dǎo)通電阻最大50mΩ等,非常適合電源管理、電機(jī)控制和電池供電設(shè)備。
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